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Intelが22nmプロセスで3Dトランジスタ技術を採用 [PCパーツ]

PC Watchさんの後藤弘茂さんの記事からの紹介です。

他にも、4Gamer.netさんや、+D PC USERさん等でも紹介されていましたが、前者は直訳っぽいリリース文をそのまま掲載、後者ははしょりすぎという感じでした^^;

PC Watchさんの記事では、
Intelが22nmプロセス「P1270」に3Dトランジスタ技術「トライゲート(Tri-Gate)」を採用したことを発表したということで、後藤弘茂さんが、これまでのトランジスタのプロセス微細化の動きと絡めた形で、これまでの状況、今後の展開について解説されていました。
半導体技術に興味のある方はぜひご一読ください。


ちなみに、新しいトランジスタの構造は↓

イメージ図
22nm3D-TG-TR-1.jpg


写真
22nm3D-TG-TR-2.jpg


となっています。

半導体微細化が進むにつれ、問題となってきたのはリーク電流の増大ですが、
Intelがいち早くHigh-K絶縁膜とメタルゲートで、ゲートリークの低減を実現していたのですが、今回は更に進んで、立体構造のトランジスタを実現したとのことです。

おそらく、この3方向からゲート電極にはさまれたチャンネルが短チャンネル効果によるソース・ドレイン間のリーク電流の低減に効果を発揮し、チャンネル長の短縮にも貢献しているということでしょうか?

↑のイメージ図では、フィンと呼ばれている部分(ソース・ドレイン・チャンネル)は、下地シリコンとつながった状態となっていますが、いろいろな事例があるようですね。(他社では完全に絶縁膜上に形成されているようなものも見かけました)

このフィンの製法がどのようなもの(周りをエッチングで削ったのか、上に成長させたものなのか) いろいろ調べてみましたが、よくわかりませんでした。 逆にいろいろな方法があるのかもしれませんね。

さて・・・この記事を書いている最中に、4Gamer.netさんで新たな記事が公開されていました^^;

こちらでは、今回のIntelの開発した技術にフォーカスした形での解説がされている感じです♪

既に、今回発表の22nmプロセス技術に基づくマイクロプロセッサー 『Ivy Bridge』のデモンストレーションを行なわれたそうで、なんと、今年後半には、『Ivy Bridge』の量産を開始する予定とのことですよ♪

私のPCの現在のCPUは、Corei7-860(45nmプロセス品)ですが、『Ivy Bridge』・・・なんか期待しちゃいます。


それでは、また。

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